RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2664
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link