RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
49
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2413
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link