RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
26
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
18
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3536
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link