RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2641
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link