RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
71
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
71
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
1866
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link