RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
3137
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link