RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2354
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SLB304G08-GGNHM 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link