RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de -3% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2374
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link