Comparaison de la RAM G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Note globale

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.3 12.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 39

Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.7 8.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

14200 12800

Autour de 1.11 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2231 2650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns