RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Note globale
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.5
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2513
2831
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link