RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
73
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
73
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2644
1724
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link