RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
29
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
15.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
3594
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link