RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
31
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
19
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2904
3435
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link