RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Note globale
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
31
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2904
2922
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link