RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2729
3529
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link