RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
34
Autour de -10% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2713
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link