RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
58
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
58
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
1998
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link