RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
30
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
3106
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link