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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Comparez
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Note globale
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
15.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3867
2545
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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CAS Latency (CL) *
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