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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2271
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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