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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
49
Autour de -158% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3435
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
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