RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
71
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
71
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link