RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2761
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link