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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Différences
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Raisons de considérer
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
49
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5.3
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
45
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
5.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1535
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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