RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
62
Autour de -148% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2832
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link