RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
62
Autour de -182% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3310
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link