RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2650
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
SK Hynix HYMP151F72CPD43-S6 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link