RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
3593
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link