RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2298
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link