RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
34
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
32
Vitesse de lecture, GB/s
8.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
2958
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link