RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
28
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3632
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link