RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
53
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
53
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link