RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
62
Autour de -51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
41
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB Comparaison des RAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link