RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
62
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
34
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3153
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link