RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
62
Autour de -170% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
23
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link