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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
60
Autour de -131% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,755.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,813.5
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,755.7
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
591
2497
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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