RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
65
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2522
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link