RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2641
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link