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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
41
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2656
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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