RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1970
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link