RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
44
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
44
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link