RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3454
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link