RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
3637
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link