RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparez
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
61
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,670.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,529.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
517
3187
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link