RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
61
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,670.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,529.3
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,670.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
517
2672
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link