RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparez
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Note globale
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
61
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,160.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
61
Vitesse de lecture, GB/s
5,987.5
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,160.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
957
2025
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link