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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
74
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,475.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8800
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
74
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
21300
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
1616
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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