RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1824
2880
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link