RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
57
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3279
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link