RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
47
Autour de 43% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
47
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2418
2875
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link